类型 | 描述 |
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封装 | TO-247-3 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 600V |
连续漏极电流(Ids) | 37.9A |
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPW60R099CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 99 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPW60R099CPFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 99 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R099C6FKSA1, 38 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
Infineon(英飞凌)
IPW60R099CPA 系列 600V 0.105 Ohm N沟道 CoolMOSTM 功率 晶体管-PG-TO-247-3
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
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