类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
极性 | N-Channel |
漏源极电压(Vds) | 200V |
连续漏极电流(Ids) | 88A |
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IPP110N20N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0099 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPP110N20NA 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0099 ohm, 10 V, 3 V
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INFINEON IPP110N20N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0099 ohm, 10 V, 3 V
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OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS ( ON)的乘积( FOM ) OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP110N20NAAKSA1, 88 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
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