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IPD90R1K2C3ATMA1
来自 AiPCBA

IPD90R1K2C3ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:中高压MOS管
封装:REEL
描述:INFINEON  IPD90R1K2C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPD90R1K2C3ATMA1 数据手册 (10 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPD90R1K2C3ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装REEL
极性N-Channel
漏源极电压(Vds)900V
连续漏极电流(Ids)5.1A
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IPD90R1K2C3ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Cut Tape (CT)
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IPD90R1K2C3ATMA1 数据手册

IPD90R1K2C3ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.37 MByte
IPD90R1K2C3ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.02 MByte

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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90R1K2C3BTMA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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