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IPD90R1K2C3

来自 AiPCBA

IPD90R1K2C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述:	INFINEON IPD90R1K2C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:	IPD90R1K2C3 数据手册 (2 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IPD90R1K2C3 数据手册 (2 页)

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IPD90R1K2C3 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
极性	N-Channel
功耗	83.0 W
漏源极电压(Vds)	900V
连续漏极电流(Ids)	5.10 A

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IPD90R1K2C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
包装方式	Cut Tape (CT)

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IPD90R1K2C3 符合标准

IPD90R1K2C3 概述

IPD90R1K2C3 数据手册

IPD90R1K2C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

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