| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 63.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 600V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.3A |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD60R600P6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD60R600P6BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD60R600CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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