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IPD60R385CP
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IPD60R385CP 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252
描述:INFINEON  IPD60R385CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPD60R385CP 数据手册 (2 页)
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IPD60R385CP 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流9.00 A
封装TO-252
极性N-Channel
功耗83.0 W
输入电容790 pF
栅电荷22.0 nC
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)9.00 A
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IPD60R385CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Cut Tape (CT)
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IPD60R385CP 数据手册

IPD60R385CP 数据手册
Infineon（英飞凌）
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IPD60R385CP 其他数据使用手册
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IPD60R385 数据手册

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INFINEON  IPD60R385CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
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