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IPD60R1K4C6
来自 AiPCBA

IPD60R1K4C6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252 DPAK
描述:INFINEON  IPD60R1K4C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPD60R1K4C6 数据手册 (14 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPD60R1K4C6 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252 DPAK
极性N-Channel
漏源极电压(Vds)650V
连续漏极电流(Ids)3.2A
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IPD60R1K4C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Reel
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IPD60R1K4C6 数据手册

IPD60R1K4C6 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.27 MByte
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