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IPD50N06S4L12ATMA2 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPD50N06S4L12ATMA2 数据手册
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IPD50N06S4L12ATMA2 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
60V
连续漏极电流(Ids)
50A
IPD50N06S4L12ATMA2 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Reel
IPD50N06S4L12ATMA2 符合标准
IPD50N06S4L12ATMA2 数据手册
IPD50N06S4L12ATMA2
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Infineon(英飞凌)
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IPD50N06S4L12 数据手册
IPD50N06S4L-12
数据手册
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MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
IPD50N06S4L12
ATMA2
数据手册
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晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V
IPD50N06S4L12
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