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来自 AiPCBA
IPD50N06S4L12ATMA1 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPD50N06S4L12ATMA1 数据手册
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IPD50N06S4L12ATMA1 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
TO-252-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
60V
连续漏极电流(Ids)
50A
IPD50N06S4L12ATMA1 符合标准
IPD50N06S4L12ATMA1 数据手册
IPD50N06S4L12ATMA1
产品设计参考手册
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
IPD50N06S4L12ATMA1
其他数据使用手册
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.15 MByte
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