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IPB65R660CFDA 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
封装:
D2PAK
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPB65R660CFDA 数据手册
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IPB65R660CFDA 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
650V
连续漏极电流(Ids)
6A
IPB65R660 数据手册
IPB65R660
CFDATMA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPB65R660CFDATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
IPB65R660
CFD
数据手册
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPB65R660CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
IPB65R660
CFDAATMA1
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