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IPB60R299CPA 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-263-3
描述:
的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPB60R299CPA 数据手册
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IPB60R299CPA 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
TO-263-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600V
连续漏极电流(Ids)
11A
IPB60R299CPA 符合标准
IPB60R299 数据手册
IPB60R299
CPATMA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPB60R299CPATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
IPB60R299
CP
数据手册
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPB60R299CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
IPB60R299
CPAATMA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
IPB60R299
CPXT
数据手册
Infineon(英飞凌)
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示例:
STM32F103
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