| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 25.0 V |
| 额定电流 | 50.0 A |
| 封装 | TO-263 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 255 W |
| 输入电容 | 2.80 nF |
| 栅电荷 | 80.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 31.0 A |
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IPB60R099CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPB60R099CPATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPB60R099C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPB60R099C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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