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IPB083N10N3 G
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IPB083N10N3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:INFINEON  IPB083N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.7 V
PDF文件:IPB083N10N3 G 数据手册 (12 页)
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IPB083N10N3 G 技术参数、封装参数

类型描述
封装TO-263-3
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IPB083N10N3 G 数据手册

IPB083N10N3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
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IPB083N10N3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPB083N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.7 V
IPB083N10N3G 数据手册
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INFINEON  IPB083N10N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.7 V
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