IDH05S120 数据手册 - Infineon（英飞凌）

的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 thinQ!TM SiC Schottky Diode

INFINEON  IDH05G65C5XKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220

IDH05G120C5 系列 1200 V 5 A 第5代 ThinQ!™ SiC 肖特基 二极管-TO-220-2

INFINEON  IDH05G65C5  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220

INFINEON  IDH05S120AKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 1200V系列, 单, 1.2 kV, 5 A, 18 nC, TO-220

INFINEON  IDH05S60C  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 5 A, 12 nC, TO-220

thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon

INFINEON  IDH05S60CAKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 5 A, 12 nC, TO-220