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HUF75645S3ST
来自 AiPCBA

HUF75645S3ST 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO263AB
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75645S3ST  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75mA
PDF文件:HUF75645S3ST 数据手册
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

HUF75645S3ST 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流75.0 A
封装TO263AB
漏源极电阻14.0 mΩ
极性N-Channel
功耗310 W
输入电容3.79 nF
栅电荷106 nC
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压-20.0 V to 20.0 V
连续漏极电流(Ids)75.0 mA
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HUF75645S3ST 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
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HUF75645S3ST 数据手册

HUF75645S3ST 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
0.73 MByte
HUF75645S3ST 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte
HUF75645S3ST 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.07 MByte
HUF75645S3ST 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.87 MByte
HUF75645S3ST 其他参考文件
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.14 MByte

HUF75645S3 数据手册

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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75645S3ST  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75mA
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75A ， 100V ， 0.014 Ohm的N通道， UltraFET功率MOSFET 75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
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