| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 56.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 25.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 W |
| 输入电容 | 2.00 nF |
| 栅电荷 | 57.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 56.0 A |
| 上升时间 | 60.0 ns |
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56A ， 100V ， 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75639P3.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 100 V, 21 mohm, 10 V, 4 V
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UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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56A ， 100V ， 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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