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HGT1S10N120BNS
来自 AiPCBA

HGT1S10N120BNS 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-263AB
描述:35A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
PDF文件:HGT1S10N120BNS 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

HGT1S10N120BNS 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)1.20 kV
额定电流35.0 A
封装TO-263AB
功耗298 W
击穿电压(集电极-发射极)1.20 kV
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HGT1S10N120BNS 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape
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HGT1S10N120BNS 数据手册

HGT1S10N120BNS 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.19 MByte
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Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte

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HGT1S10N120BNS 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
35A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
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