| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 2.00 A |
| 封装 | SuperSOT |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 500 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60.0 V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 75MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 250~550 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 350mV/0.35V 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| NPN Low Saturation Transistor high current gain 描述与应用| NPN低饱和晶体管 高电流增益
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NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor FSB560 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=60 V, HFE:100, 75 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
小信号 NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Low Saturation
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