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FQU11P06TU
来自 AiPCBA

FQU11P06TU 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:IPAK
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU11P06TU  晶体管, P沟道
PDF文件:FQU11P06TU 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FQU11P06TU 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)-60.0 V
额定电流-9.40 A
封装IPAK
漏源极电阻185 mΩ
极性P-Channel
功耗2.50 W
漏源极电压(Vds)-60.0 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)-9.40 A
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FQU11P06TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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FQU11P06TU 数据手册

FQU11P06TU 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 1.15 MByte
FQU11P06TU 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 2.06 MByte
FQU11P06TU 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.5 MByte

FQU11P06 数据手册

FQU11P06 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU11P06  晶体管, MOSFET, P沟道, 9.4 A, -60 V, 185 mohm, -10 V, -4 V
FQU11P06TU 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU11P06TU  晶体管, P沟道
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