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FQP8N80C
来自 AiPCBA

FQP8N80C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP8N80C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 1.29 ohm, 10 V, 5 V
PDF文件:FQP8N80C 数据手册 (11 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FQP8N80C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流8.00 A
封装TO-220
漏源极电阻1.55 Ω
极性N-Channel
功耗178 W
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)8.00 A
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FQP8N80C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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FQP8N80C 数据手册

FQP8N80C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
11 页 / 1.11 MByte
FQP8N80C 其他数据使用手册
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9 页 / 0.6 MByte
FQP8N80C 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
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FQP8N80C 产品修订记录
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FQP8N80C 产品手册
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10 页 / 0.88 MByte

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