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FQP8N60C
来自 AiPCBA

FQP8N60C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP8N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:FQP8N60C 数据手册 (10 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FQP8N60C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流7.50 A
封装TO-220
漏源极电阻1.00 Ω
极性N-Channel
功耗147 W
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)7.50 A
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FQP8N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
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FQP8N60C 数据手册

FQP8N60C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 0.9 MByte
FQP8N60C 其他数据使用手册
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20 页 / 2.6 MByte
FQP8N60C 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
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