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FQP6N80C
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FQP6N80C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP6N80C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 2.1 ohm, 10 V, 5 V
PDF文件:FQP6N80C 数据手册
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FQP6N80C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流5.50 A
封装TO-220
漏源极电阻2.50 Ω
极性N-Channel
功耗158 W
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)5.50 A
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FQP6N80C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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FQP6N80C 数据手册

FQP6N80C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
0.83 MByte
FQP6N80C 其他数据使用手册
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20 页 / 2.6 MByte
FQP6N80C 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte
FQP6N80C 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
3 页 / 0.48 MByte

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