FQP2N80 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP20N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.048 ohm, 10 V, 4 V

QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP2N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.35 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP27P06  晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 70 mohm, -10 V, -4 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP2N90  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 900 V, 5.6 ohm, 10 V, 5 V

QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP22N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 300 V, 160 mohm, 10 V, 5 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP27N25..  场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 25.5A, TO-220