Datasheet 搜索 > 中高压MOS管 > Fairchild（飞兆/仙童） > FQP2N60C Datasheet 文档
FQP2N60C
来自 AiPCBA

FQP2N60C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP2N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.35 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:FQP2N60C 数据手册
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FQP2N60C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流2.00 A
封装TO-220
漏源极电阻4.70 Ω
极性N-Channel
功耗54.0 W
输入电容235 pF
栅电荷12.0 nC
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)2.00 A
查看数据手册 >

FQP2N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
查看数据手册 >

FQP2N60C 数据手册

FQP2N60C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
2.41 MByte
FQP2N60C 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
20 页 / 2.6 MByte
FQP2N60C 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte

FQP2N60 数据手册

FQP2N60 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
FQP2N60 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
FQP2N60C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP2N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.35 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet