| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -27.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 70.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 120 W |
| 输入电容 | 1.10 nF |
| 栅电荷 | 33.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | -60.0 V |
| 栅源击穿电压 | -25.0 V to 25.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -27.0 A |
| 上升时间 | 185 ns |
仙童公司的FQP27P06是一个通孔安装的-60V P通道 QFET MOSFET, TO-220封装. 此设备具有平面条形带和DMOS技术, 经量身设计可最小化通导电阻并提供卓越的转换性能以及高雪崩能量强度. 产品适合转换模式电源, 音频放大器, 直流电机控制和可变转换电源应用.
● 典型低反向传输电容: 120pF
● 典型低栅极电荷: 33nC
● 漏极至源极电压: -60V
● 栅-源电压: ±25V
● 持续漏电流(ld): -27A
● 功率耗散: 120mW
● 55ohm低通导电阻:, Vgs -10V
● 工作温度范围: -55°C至175°C
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP27P06 晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 70 mohm, -10 V, -4 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP27N25.. 场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 25.5A, TO-220
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