类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -100 V |
额定电流 | -6.60 A |
封装 | TO-252 |
漏源极电阻 | 530 mΩ |
极性 | P-Channel |
功耗 | 2.50 W |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.60 A |
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100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD8P10TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -6.6 A, -100 V, 0.41 ohm, -10 V, -4 V
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增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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