类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 1.90 A |
封装 | TO-252 |
漏源极电阻 | 4.70 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 44.0 W |
输入电容 | 235 pF |
栅电荷 | 12.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.90 mA |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET QFET® N-Channel QFET® MOSFET
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