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FQD1N80TM
来自 AiPCBA

FQD1N80TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:中高压MOS管
封装:TO-252
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD1N80TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V
PDF文件:FQD1N80TM 数据手册 (2 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FQD1N80TM 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流1.00 A
封装TO-252
漏源极电阻20.0 Ω
极性N-Channel
功耗2.50 W
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)1.00 mA
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FQD1N80TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape
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FQD1N80TM 数据手册

FQD1N80TM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
2 页 / 0.22 MByte
FQD1N80TM 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte
FQD1N80TM 产品修订记录
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