| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 7.80 A |
| 封装 | TO-252 |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.80 A |
QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor
●Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
●它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
Fairchild（飞兆/仙童）
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200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
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LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD10N20CTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V
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200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
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