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FQB9N50CTM
来自 AiPCBA

FQB9N50CTM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-263
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB9N50CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 V
PDF文件:FQB9N50CTM 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FQB9N50CTM 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流9.00 A
封装TO-263
漏源极电阻800 mΩ
极性N-Channel
功耗135 W
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)9.00 A
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FQB9N50CTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape
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FQB9N50CTM 数据手册

FQB9N50CTM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.47 MByte
FQB9N50CTM 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte
FQB9N50CTM 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.87 MByte

FQB9N50 数据手册

FQB9N50CTM 数据手册
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB9N50CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 V
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