FQB7P20TM 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	MOS管
描述:	增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FQB7P20TM 数据手册

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FQB7P20TM 概述

FQB7P20 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFET

FQB7P20TM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FQB7P20TM_F085 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB7P20TM_F085 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 V

FQB7P20TM"F085 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB7P20TM"F085 场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 0.54Ω, -7.3A, TO-263-3

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Freescale（飞思卡尔）

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