Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild（飞兆/仙童） > FQB55N10TM Datasheet 文档
FQB55N10TM
来自 AiPCBA

FQB55N10TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:D2PAK
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB55N10TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:FQB55N10TM 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FQB55N10TM 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流55.0 A
封装D2PAK
漏源极电阻26.0 mΩ
极性N-Channel
功耗3.75 W
输入电容2.10 nF
栅电荷75.0 nC
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压-25.0 V to 25.0 V
连续漏极电流(Ids)55.0 mA
上升时间250 ns
查看数据手册 >

FQB55N10TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
查看数据手册 >

FQB55N10TM 数据手册

FQB55N10TM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.76 MByte
FQB55N10TM 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte
FQB55N10TM 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.87 MByte
FQB55N10TM 其他参考文件
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.14 MByte

FQB55N10 数据手册

FQB55N10 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB55N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 26 mohm, 10 V, 4 V
FQB55N10TM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB55N10TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 V
FQB55N10TM 数据手册
Freescale（飞思卡尔）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet