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FQB34N20LTM
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FQB34N20LTM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:D2PAK
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB34N20LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 2 V
PDF文件:FQB34N20LTM 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FQB34N20LTM 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数2 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流31.0 A
封装D2PAK
漏源极电阻75.0 mΩ
极性N-Channel
功耗180 W
输入电容3.90 nF
栅电荷72.0 nC
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压-20.0 V to 20.0 V
连续漏极电流(Ids)31.0 A
上升时间520 ns
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FQB34N20LTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
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FQB34N20LTM 数据手册

FQB34N20LTM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 1.29 MByte
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