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FQB12P20TM
来自 AiPCBA

FQB12P20TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-263
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB12P20TM  场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 11.5mA
PDF文件:FQB12P20TM 数据手册
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FQB12P20TM 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-200 V
额定电流-11.5 A
封装TO-263
漏源极电阻470 mΩ
极性P-Channel
功耗3.13 W
漏源极电压(Vds)200 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)11.5 mA
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FQB12P20TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape
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FQB12P20TM 数据手册

FQB12P20TM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
1 MByte
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18 页 / 0.94 MByte
FQB12P20TM 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.87 MByte

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