FQA19N60 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	TO-3P
描述:	QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PDF文件:	FQA19N60 数据手册
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

FQA19N60 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	600 V
额定电流	18.5 A
封装	TO-3P
漏源极电阻	380 mΩ
极性	N-Channel
功耗	300 W
漏源极电压(Vds)	600 V
漏源击穿电压	600 V
栅源击穿电压	-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)	18.5 A

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FQA19N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube

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FQA19N60 符合标准

FQA19N60 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

1.72 MByte

FQA19N60 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

13 页 / 0.57 MByte

FQA19N60 产品设计图

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4 页 / 0.62 MByte

FQA19N60 开发手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 1.89 MByte

FQA19 数据手册

FQA19N60 数据手册

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