FMC3A 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 40V/-10V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 50mA/-50mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 1 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Features •Power management(dual digital transistors) •Both the DTA114E chip and DTC114E chip in a UMT or SMT package. •Ideal for power switch circuits. •Mounting cost and area can be cut in half 描述与应用| 特点 •电源管理（双数字晶体管） •两个DTA114E芯片DTC114E一个UMT或SMT封装的芯片的。 •电源开关电路的理想选择。 •安装成本和面积可减少一半