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FDT459N
来自 AiPCBA

FDT459N 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:SOT-223
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PDF文件:FDT459N 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FDT459N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流6.50 A
封装SOT-223
漏源极电阻35.0 mΩ
极性N-Channel
功耗3.00 W
输入电容365 pF
栅电荷12.0 nC
漏源极电压(Vds)30.0 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压-20.0 V to 20.0 V
连续漏极电流(Ids)6.50 A
上升时间8.20 ns
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FDT459N 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape
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FDT459N 数据手册

FDT459N 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
5 页 / 0.09 MByte
FDT459N 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.8 MByte
FDT459N 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
0.06 MByte

FDT459 数据手册

FDT459N 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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