| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 12.5 A |
| 封装 | SOIC |
| 漏源极电阻 | 9.50 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.50 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.5 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 12.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 13mΩ@ VGS = 4.5V, ID =10.5A 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1~3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.5W Description & Applications| Single N-Channel, Logic Level, Power Trench MOSFET General Description This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. Features • Ultra-low gate charge • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • High power and current handling capability 描述与应用| 单N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET 概述 这N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程，已特别是针对减少通态电阻，同时保持出色的开关性能。 这些器件非常适合于低电压和电池供电应用的低线的功率损耗和快速开关是必需的。 特点 •超低栅极电荷 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •高功率和电流处理能力
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.71 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
5 页 / 0.19 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.14 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.7 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680A 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.5 V
Fairchild（飞兆/仙童）
30V N沟道的PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
National Semiconductor（美国国家半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
