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FDP61N20
来自 AiPCBA

FDP61N20 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP61N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 200 V, 0.034 ohm, 10 V, 5 V
PDF文件:FDP61N20 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FDP61N20 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流61.0 A
封装TO-220
漏源极电阻41.0 mΩ
极性N-Channel
功耗417 W
输入电容3.38 nF
栅电荷75.0 nC
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)6.10 A
上升时间215 ns
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FDP61N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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FDP61N20 数据手册

FDP61N20 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.4 MByte
FDP61N20 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
20 页 / 2.6 MByte
FDP61N20 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte
FDP61N20 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
3 页 / 0.48 MByte
FDP61N20 其他参考文件
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.14 MByte

FDP61 数据手册

FDP61N20 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP61N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 200 V, 0.034 ohm, 10 V, 5 V
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