FDP5N50 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP5800  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 20 V, 2.5 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP52N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 41 mohm, 10 V, 5 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP51N25  晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 250 V, 0.048 ohm, 10 V, 5 V

N沟道MOSFET N-Channel MOSFET

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP55N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 2 V

60V N沟道MOSFET PowerTrenchTM 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET

60V N沟道PowerTrench MOSFET的 60V N-Channel PowerTrench MOSFET