| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 2.70 A |
| 封装 | SSOT |
| 漏源极电阻 | 46.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 输入电容 | 480 pF |
| 栅电荷 | 5.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.70 A |
| 上升时间 | 13.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.7A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.046Ω/Ohm @2.7A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET General Description This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor"s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain uperior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. 2.7 A, 30 V. RDS(ON) = 0.046 W @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.060 W @ VGS = 4.5 V. Very fast switching. Low gate charge (5nC typical). High power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. 描述与应用| N沟道逻辑电平的PowerTrench TM MOSFET 概述 这N沟道逻辑电平MOSFET产生 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench进程，已特别定制 尽量减少对通态电阻，但维持优越的开关性能。 这些器件非常适用于低电压，电池供电应用中低线的功率 损耗和快速开关是必需的。 开关速度非常快。 低栅极电荷（典5NC） 高功率版本的行业标包相同的引脚SOT-23高出30％ 功率处理能力
Fairchild（飞兆/仙童）
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N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN359AN... 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 2.7A, SSOT
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN359BN_F095 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN359BN, 2.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN359BN"F095 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.026Ω, 2.7A, SUPERSOT-3
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