| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -1.50 A |
| 封装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 125 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 560 mW |
| 输入电容 | 182 pF |
| 栅电荷 | 4.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | -30.0 V |
| 漏源击穿电压 | -30.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.50 A |
| 上升时间 | 13.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.11Ω @-1.5A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--2V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| High power version of industry SOT-23 package: identical pin out to SOT-23; 30% higher power handling capability. High density cell design for extremely low RDS(ON) .Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. 描述与应用| 行业SOT-23封装的高功率版相同 引脚SOT-23;30％更高的功率处理能力。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力
Fairchild（飞兆/仙童）
5 页 / 0.11 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.08 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.15 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN358P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -1.9 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
