类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -20.0 V |
额定电流 | -2.00 A |
封装 | SOT-23 |
漏源极电阻 | 60.0 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 500 mW |
输入电容 | 779 pF |
栅电荷 | 7.20 nC |
漏源极电压(Vds) | -20.0 V |
漏源击穿电压 | -20.0 V |
栅源击穿电压 | -8.00 V to 8.00 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.00 A |
上升时间 | 9.00 ns |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.052Ω @-2A,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Low gate charge (8nC typical). High performance trench technology for extremely low RDS(ON) . High power version of industry Standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. 描述与应用| 低栅极电荷(典型8NC)。 高性能沟道技术极 低RDS(ON)。 高功率版本的行业标准SOT-23 包。相同的引脚的SOT-23与30% 更高的功率处理能力
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
单P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN340P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 0.06 ohm, -4.5 V, -800 mV
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件