| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -1.30 A |
| 封装 | SuperSOT |
| 漏源极电阻 | 270 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 输入电容 | 330 pF |
| 栅电荷 | 3.60 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | -8.00 V to 8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.20 A |
| 上升时间 | 12.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| ±8V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.12Ω @-1.3A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4~1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Single P-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET .
● -1.3 A, -20 V. RDS(ON)= 0.20 W @ VGS = -4.5 V RDS(ON) = 0.27 W @ VGS= -2.5 V.
● Low gate charge (3.6 nC typical).
● High performance trench technology for extremely low RDS(ON).. 描述与应用| 单P沟道2.5V额定功率沟槽MOSFET。
●-1.3 A，-20 V. RDS（ON）= 0.20 W @ VGS=-4.5 V RDS（ON）=0.27 W@ VGS= -2.5 V。
●低栅极电荷（3.6 nC典型）。
●高性能沟道技术极低的RDS（ON）
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单P沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN336P 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -20 V, 0.122 ohm, -4.5 V, -900 mV
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