| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 1.70 A |
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 70.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 输入电容 | 40.0 pF |
| 栅电荷 | 3.50 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
| 漏源击穿电压 | -60.0 V |
| 栅源击穿电压 | -8.00 V to 8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.70 A |
| 上升时间 | 8.50 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.7A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.070Ω/Ohm @17.7A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.4-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| N-Channel 2.5V Specified PowerTrench TM MOSFET General Description This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor"s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. • 1.7 A, 20 V. RDS(ON) = 0.07 Ω @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 2.5 V. • Low gate charge (3.5nC typical). • High performance trench technology for extremelyow RDS(ON) High power and current handling capability. 描述与应用| N沟道2.5V指定的PowerTrench TM MOSFET 概述 这N沟道2.5V指定的MOSFET的生产 采用飞兆半导体先进的PowerTrench 过程中，已特别针对减少通态电阻，但维持低栅极电荷 优越的开关性能。 •低栅极电荷（3.5nC典型值）。 •高性能沟道技术为extremelyow RD（ON） 高功率和电流处理力
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N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN335N 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV
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