| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -2.40 A |
| 封装 | SuperSOT |
| 漏源极电阻 | 55.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 漏源极电压(Vds) | -20.0 V |
| 栅源击穿电压 | -12.0 V to 12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -2.40 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.044Ω @-2.4A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • SuperSOT TM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint 描述与应用| •开关速度快 •高性能沟道技术极 低RDS（ON） •的SuperSOT TM-3提供低RDS（ON）和30％上 在相同的空间比SOT23封装的功率处理能力
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P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN302P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 55 mohm, -4.5 V, -1 V
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包含所需的ADS1148 / ADS1248的所有支持电路 Contains all support circuitry needed for the ADS1148/ADS1248
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