| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | MicroFET |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 1.40 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3A |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 2.00 V |
P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管，Fairchild Semiconductor
●设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关
●独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗
Fairchild（飞兆/仙童）
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P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管，Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管，Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管，Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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集成的N沟道MOSFET PowerTrench㈢和肖特基二极管的20V ， 3.7A ， 68米ヘ Integrated N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode 20V, 3.7A, 68mヘ
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集成的P沟道的PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode
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集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管-20 V， -3.0 A， 120米？ Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.0 A, 120 m
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