类型 | 描述 |
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引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252 |
漏源极电阻 | 12.5 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 50.0 W |
漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
漏源击穿电压 | -60.0 V |
栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 56.0 A |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
包装方式 | Reel |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench ? MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench? MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6680A 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 56A
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30V N沟道的PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
ON Semiconductor(安森美)
场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 56A
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