Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild（飞兆/仙童） > FDC6561AN Datasheet 文档
FDC6561AN
来自 AiPCBA

FDC6561AN 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:SSOT
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6561AN  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.082 ohm, 10 V, 1.8 V
PDF文件:FDC6561AN 数据手册
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FDC6561AN 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流2.50 A
封装SSOT
漏源极电阻95.0 mΩ
极性N-Channel, Dual N-Channel
功耗960 mW
输入电容220 pF
栅电荷2.30 nC
漏源极电压(Vds)30.0 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压-20.0 V to 20.0 V
连续漏极电流(Ids)2.50 A
上升时间10.0 ns
查看数据手册 >

FDC6561AN 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
查看数据手册 >

FDC6561AN 数据手册

FDC6561AN 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
0.17 MByte
FDC6561AN 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.09 MByte
FDC6561AN 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.04 MByte
FDC6561AN 其他参考文件
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.15 MByte

FDC6561 数据手册

FDC6561 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
双N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDC6561AN 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6561AN  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.082 ohm, 10 V, 1.8 V
FDC6561AN_NL 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FDC6561AN_Q 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet