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FDC655BN
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FDC655BN 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:SSOT
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC655BN  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
PDF文件:FDC655BN 数据手册
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FDC655BN 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流6.30 A
封装SSOT
漏源极电阻25.0 mΩ
极性N-Channel
功耗1.60 W
输入电容570 pF
栅电荷10.0 nC
漏源极电压(Vds)30.0 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压-20.0 V to 20.0 V
连续漏极电流(Ids)6.30 A
上升时间4.00 ns
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FDC655BN 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT)
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FDC655BN 数据手册

FDC655BN 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
0.52 MByte
FDC655BN 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.09 MByte
FDC655BN 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.04 MByte
FDC655BN 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.17 MByte

FDC655 数据手册

FDC655BN 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC655BN  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
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